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型号 IPDH4N03LAG
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3-11
IPDH4N03LAG PDF
代理商 IPDH4N03LAG
产品变化通告 Product Discontinuation 04/Jun/2009
产品目录绘图 Mosfets D-PAK, D2-PAK, TO-252
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 90A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 4.2 毫欧 @ 60A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2V @ 40µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 26nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 3200pF @ 15V
功率 - 最大 94W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装 PG-TO252-3
包装 剪切带 (CT)
产品目录页面 1618 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 IPDH4N03LAGINCT
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